شرکت ایسوس به‌تازگی تکنولوژی جدیدی به نام NitroPath را معرفی کرده است که به بهبود عملکرد حافظه‌های DRAM کمک می‌کند. این تکنولوژی با کاهش تداخلات الکتریکی در اسلات‌های خالی RAM، سرعت حافظه را تا ۴۰۰ مگاترنسفربر‌ثانیه افزایش می‌دهد. اسلات‌های NitroPath حدود ۴۰ درصد کوتاه‌تر از اسلات‌های معمولی هستند و کاهش طول آن‌ها، به کاهش تداخلات الکتریکی کمک می‌کند.

در سیستم‌های کامپیوتری، اسلات‌های خالی RAM می‌توانند باعث ایجاد تداخلات الکتریکی شوند که این تداخلات می‌توانند عملکرد حافظه را تحت‌تأثیر قرار دهند. چنین مشکلی به‌ویژه در سیستم‌هایی که از حافظه‌های با سرعت بالا استفاده می‌کنند، بیشتر مشهود است. تکنولوژی NitroPath  ایسوس با کاهش طول اسلات‌ها و بهبود طراحی آن‌ها، تداخلات را به حداقل می‌رساند و باعث افزایش پایداری و سرعت حافظه می‌شود.
 

یکی از مزایای اصلی تکنولوژی NitroPath این است که به کاربران اجازه می‌دهد تا از حافظه‌هایی با سرعت بالاتر بدون نگرانی از کاهش پایداری سیستم، استفاده کنند.

چنین مزیتی به‌ویژه برای کاربرانی که به‌دنبال افزایش عملکرد سیستم‌های خود هستند، بسیار مهم است. با استفاده از اسلات‌های NitroPath، کاربران می‌توانند از حافظه‌های با سرعت بالاتر بهره‌مند شوند و درعین‌حال از پایداری سیستم خود اطمینان حاصل کنند.

ایسوس ادعا می‌کند که اسلات‌های NitroPath، حدود ۵۷ درصد نیروی نگهدارنده‌ی بیشتری نسبت‌ به اسلات‌های استاندارد دارند و بهبود ۲۰ درصدی در نیروی قفل‌کنندگی و آزادسازی جانبی را ارائه می‌کنند. بنابر گفته‌ی ایسوس، این افزایش استحکام برای گیمرها یا سایر علاقه‌مندان به سخت‌افزار که اغلب ماژول حافظه‌ی سیستم‌های خود را تعویض می‌کنند، تفاوت محسوس ایجاد می‌کند. این اسلات‌ها که توسط ایسوس و لوتوس مهندسی شده‌اند و در مادربرد ایسوس X۸۷۰E و Z۸۹۰ قرار دارند، پس از یک سال برای استفاده توسط سایر تولیدکنندگان مادربرد، در دسترس قرار خواهند گرفت.

در نهایت، تکنولوژی NitroPath یک گام مهم در جهت بهبود عملکرد حافظه‌های DRAM و کاهش تداخلات الکتریکی در سیستم‌های کامپیوتری است. تکنولوژی NitroPath می‌تواند در قیمت مادربرد تأثیر بگذارد، اما در نهایت به بهبود کلی عملکرد سیستم‌های کامپیوتری و افزایش رضایت کاربران منجر خواهد شد.